知产前沿 - 魏征 | 论权利要求解释的整体观和“三步法”的失灵——以“CMOS差分射频信号幅度检测电路”发明专利... WeRss

作者 | 魏征

一、解释权利要求需要秉持“整体观”

二、对现有技术公开内容的“识别”也需要秉持“整体观”

三、评析与讨论

四、结语

2026年9月3日，最高人民法院在斯凯某公司与国家知识产权局与深圳成谷智能科技有限公司发明专利权无效行政纠纷案（2024最高法知行终553号）中，针对涉案的名称为“CMOS 差分射频信号幅度检测电路”的专利ZL200910177182.9，作出撤销一审判决及国家知识产权局无效决定的裁决。最高法院明察秋毫，面对权利要求解释错误，果断撤销国知局决定(第 562108 号决定)和一审法院的判决（2023京73行初10102号）。最高法院是如何认定权利要求解释错误的？这引起笔者的好奇心。正如陆雨在“ 权利要求解释错误、区别技术特征认定错误，最高法院撤销一审和国知局决定 ”（见发表在公众号PRIP Reseach 2026年9月5日的文章）一文中所指出的，最高法院在（2024）最高法知行终553号行政判决中两段裁判要旨值得关注：

“ 权利要求解释应当结合发明目的、技术方案整体语境。创造性判断中，相互协同配合、共同解决同一技术问题、产生关联技术效果的多项技术特征，应当作为整体予以评价，不应拆分为孤立技术特征分别评述。

认定现有技术是否公开某技术特征，不仅要看结构连接形式，更要审查该技术特征在整体技术方案中所实现的技术功能、发挥的实际作用是否实质相同。”

其中，第一段是关于权利要求解释的“ 整体观 ”，第二段是对现有技术公开内容的“识别”。

本文认为，这两段裁判要旨与创造性判断的“三步法”判断密切相关。正确适用“三步法”的先决条件是对权利要求进行解释，如果解释方法发生偏差，甚至省去解释步骤而直接去“肢解”权利要求的内容，后续的“三步法”比对就会失去“准星”。在正确解释权利要求的本质之后，再审查“现有技术是否公开某技术特征”，特别是“不仅要看结构连接形式，更要审查该技术特征在整体技术方案中所实现的技术功能、发挥的实际作用是否实质相同。”因此，将本文对上述两段裁判要旨的逻辑关系，概括为“两阶段法”。下面，就以“CMOS差分射频信号幅度检测电路”发明专利无效案（以下称“该案”）为研究案例对“ 两阶段法 ”进行权利要求“ 整体观 ”的诠释以及“三步法”在何种条件下失灵进行讨论。

一、解释权利要求需要秉持“整体观”

（1）权利要求解释“整体观”的法理依据

权利要求解释的根本目的是搞清楚其作为 “请求保护”的技术方案的发明实质是什么，从而精准把握专利的排他权边界。因此，解释的对象是权利要求所指向的 “整体” 技术方案。专利法第六十四条第一款明确规定：“发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。”根据该规定， “以其权利要求的内容为准” 即明确了解释的具体对象是 “权利要求的内容” ，而说明书及附图可以用于解释“权利要求的内容”，也正是 “说明书乃权利要求之母” 的应有之义。又根据专利法第二十六条第三、第四款的规定，说明书的职能是“充分公开”其请求保护的技术方案，与之相对应的是， “权利要求的内容” 应该得到说明书的支持。因此，专利法第六十四条第一款与专利法第二十六条第三、第四款构成了权利要求解释“整体观”法理依据的铁三角关系。根据 “整体观” ， “权利要求解释应当结合发明目的、技术方案整体语境。” “CMOS差分射频信号幅度检测电路”发明专利无效纠纷案的权利要求的整体解释，恰好为 “整体观” 的具体应用提供了典型的参考范例。

（2）权利要求的整体解释从识别“发明构思”开始

要识别 “CMOS差分射频信号幅度检测电路”发明专利（以下称该专利）的发明构思，还是依照“从哪里来、到哪里去、怎么办”的进路来分析。该专利的著录项目信息见见下图。

关于 “从哪里来” ，说明书的背景技术写道：

从上述内容可看，CMOS电路用于信号幅度检测时，有三个技术问题需要克服：高的阈值电压、高输入阻抗和大的寄生电容。否则，只能用于低频率大信号的检波和幅度检测。

关于 “到哪里去” ，见说明书0004段：

可见，该专利的发明人知难而上，坚持采用CMOS电路用于“高频弱信号”的幅度检测。那么，其又是怎么做到的？

关于 “怎么办” ，说明书的0005段和权利要求1-3给出了具体方案：

上述方案中，由于“采用n个MOS晶体管串联”，从而获得n倍的检测增益，并且使整体的输入阻抗值减小了n倍，克服了现有技术存在的 “高输入阻抗” 的技术问题。

又由于采用“MOS晶体管的栅极与漏极接，构成偏置导通状态”，克服了现有技术存在的 “高的阈值电压” 的技术问题。又由于是采用“差分输入”，克服了现有技术存在的 “大的寄生电容” 的技术问题。

说明书附图中的图2、图3和图4，分别给出以 N型、 P型和两种兼有的MOS晶体管来实现的CMOS差分射频信号幅度检测电路的电路图。（下图从左到有，分别是图2： N型、图3： P型和图4：两种“混搭” ），三幅图中，共性部分是其“整体”上拓扑结构相同，都采用电流源提供偏置以预先垫高阈值（蓝色框）和 “MOS晶体管M1、M2，…，Mn串联连接” ；区别是，图2和图3中的MOS晶体管是不同类型，而图4中，两种类型MOS晶体管 “混搭” 。

综上分析，该专利的发明构思可以总结为： MOS晶体管M1、M2，…，Mn串联连接，由电流源I1事先提供偏置，且MOS晶体管的栅极与漏极接，构成偏置导通状态，采用“差分输入”的方式，将这些技术手段整体性的整合在一起，克服了现有技术的缺陷，具备了突出的实质性特点，取得了显著进步。

上述发明构思的 “识别” ，恰恰与“权利要求解释应当结合发明目的、技术方案整体语境。”的裁判要旨不谋而合。

二、对现有技术公开内容的“识别”也需要秉持“整体观”

现有技术公开内容的“识别”即事实查明。当现有技术为专利文献时，对其公开的内容更需要秉持“整体观”，即该文献整体上公开了什么内容。特别是在“识别”出涉案专利的发明构思之后，更应注意，现有技术文献中公开的那些与涉案专利发明构思相关的内容。

该案中，被诉决定使用证据2（WO2007063887A1国际专利文献及其中文译文，其采用日语公布，申请人为日本电器株式会社，即NEC公司）作为“最接近的现有技术”。

（1）以“整体观”看证据2公开了什么？

关于 “从哪里来” ，证据2中在背景技术部分写道：

[0002 ]近年来，DSRC（专用短程通信）作为一种通信系统，已被研究用于开发，其通信范围较窄，可用于道路上车辆之间的通信，例如 ETC（电子收费系统）、商用车辆管理系统等。 DSRC 分为基于光的系统和基于无线电波的系统，通常被认为可用于几米到几百米范围内的通信。该系统的规范由 ARIB STD（无线电工业企业协会标准）——T55 标准和 STD-T75 标准制定，并采用 5772.5 至 5847.5 MHz 范围内的载波频率作为无线电通信系统。

[0003] 智能车牌（21世纪交通运输中汽车和道路多功能集成系统）系统作为 DSRC 的一部分逐步开发，该系统在现有车牌上安装了一个 IC 芯片，用于记录车牌信息和车辆登记文件中描述的信息。目前，该系统正被研究作为与个人车辆信息相关的基础设施，对于普及智能交通系统 (ITS) 至关重要，或者作为在汽车交通管理中识别车辆的手段。

[0004] 该系统的目标是通过检测启动信号来间歇性地运行系统，从而在不更换内置电池的情况下运行五年。起始信号采用 5.8 GHz 频段的 -60 dBm 弱信号，需要电路来稳定地检测该信号。

从上述内容看，证据2亦涉及DSRC（专用短程通信），属于与涉案专利相同的技术领域。由于“起始信号采用 5.8 GHz 频段的 -60 dBm 弱信号”，因此，其改进的方向是：如何设计出一种能够“稳定地检测该信号”的电路。

关于 “到哪里去” ，证据2中说明书[0014]段指出： “本发明的挑战在于解决上述相关技术领域的问题，本发明的目的在于提高检测整流电路的整流效率，在后续阶段为放大电路设置低增益，从而稳定地检测启动信号。 ”

证据2的附图说明告诉我们：其公开的内容包括两部分：

第一部分包括：

图1A和图1B，其显示传统整流电路的电路及描述图中所示整流电路工作原理的波形图；

图2为传统整流电路的另一个示例电路图；

图3显示了传统整流电路的另一个例子；

图 4A为二极管的伏安特性图；图4B显示当偏置电位改变时电阻比和电流差变化的图表；

图 5是显示如图 3的传统示例特征的图表。

第二部分包括：

证据2的第一到第十四实施例（参见图6至图22），以及两个直流偏置发生器电路（参见图23至图24）。

证据2给出的关于启动信号检测电路的实施例多达十四个。其中，第五到第十实施例的共同特点是都包含了两级级联连接的半波双电压整流电路，其中附图标记为301-303 为直流偏置端、串联谐振电路。参见图13。第十一到第十四实施例与前面实施例的区别是：采用两级连接的两个半波双电压整流电路，由此需要增加一个用于将单相信号转换为双相信号的变压器，参见图18。

（2）国知局第562108号决定关于证据2公开内容的认定

第562108号决定中，对证据2公开内容认定如下：

“证据2公开了如下技术内容：一种启动信号检测电路，通过对启动信号检波使系统间歇运行以能够运行5年而无需更换内置电池。启动信号使用5.8GHz频段的-60dBm这一微弱信号，需要能够稳定地对这样的信号进行检波的电路。

关于射频信号的检波，已知有利用二极管的检波电路，图1A 示出了其的代表性电路示例。101是RF输入端子，201是输出端子，401是电源端子，D1、D2是二极管，C21、C22是电容，R21是电阻。在该电路中，在图1B 所示的输入RF信号的半周期A内，电流经由二极管D1流向输入端子101，对电容C21充电。在下一个半周期B 内，二极管D1反向偏置，因此不会流过电流。在该半周期内，电流从电容C21经由二极管D2流向电容C22，以对其充电。最终电容C22的电位与在各个半周期内所充电的电荷量相应地提升。

该电路通过利用二极管的非线性效应对各个电容进行半周期充电来实现整流，该整流电路称为半波二倍压整流电路，提出了利用这种半波二倍压整流电路的启动信号输出电路。

[0009]另外，还已知有二极管多级串联连接而成的整流电路（如，参见非专利文献1，

[JohnF.Dickson，“On-chip high-voltage generation in MNOS integrated circuit susingan improved voltage multiplier technique”IEEE Journal of Solid-State Circuits，vol.SC-11，No.3，pp.374-378，1976]）。图3是非专利文献1中提出的多级连接整流电路的电路图（图示的示例为6级连接电路，实际级数更多）。

在图3中，103、104是供相位彼此不同的时钟输入的时钟输入端子，205是输出端子，311是DC偏置端子，D是二极管，C是电容。根据该电路，每1级二极管获得电压升高，该电压上升是从二极管节点处由时钟产生的振幅中减去二极管的正向电压和伴随输出电流产生的电容的充放电所导致的纹波电压后获得的。

在图3所示的电路中，可以替换为二极管连接而成的MOS晶体管。

在该情况下，上述计算电压升高时使用的二极管正向电压替换为MOS晶体管的阈值电压。

在图3所示的多级连接构成的电路中，当放大微小振幅的信号时，也不得已增多所连接的级数，从而导致输入电容变得非常大。图5示出使用微波模拟器计算电路的特性而得到的结果，其中，所述电路是将作为具有非线性电阻的元件的晶体管100进行级串联连接而成，所述晶体管100是二极管连接而成的阈值电压为OV、栅极长0.18μm的N型MOS（Metal Oxide Semiconductor）晶体管100。此时的整流电路的偏置设为1V。横轴为输入RF功率，纵轴示出整流电路的输出电位。即使将MOS晶体管100进行级连接，在5.8GHz频段的RF输入功率为-60dBm的情况下，得到的DC电压最多也仅为150μV左右。

因此，为了获得1V左右的输出，需要在后级具有接近80dB的增益。即，即使在使用图3所示的多级连接电路的情况下，也必须大幅度增加二极管（MOS晶体管）的连接级数，并且即使增加连接级数，后级仍需要很高放大率的放大器。”

根据上述证据2的公开内容，国知局在第562108号决定中，首先，对证据2的内容进行分析，接着再与权利要求1中的特征进行比对。

根据证据2公开的内容可知，证据2 图3 所示的电路中，可以替换为二极管连接而成的MOS晶体管，该多级连接构成的电路可以对射频信号进行检波，相当于公开了一种CMOS射频信号幅度检测电路 ;

图3中的多个二极管D串联连接，替换为二极管连接而成的MOS晶体管后，多个MOS晶体管也相应地串联连接，相当于公开了 MOS晶体管M1、M2，.，Mn串联连接，所述MOS晶体管M1，M2，...，Mn的数量为n大于等于2 :

所述晶体管可以是二极管连接而成的阈值电压为0V、栅极长0.18um的N型MOS晶体管，相当于公开了所述MOS晶体管M1，M2，.，Mn可以是N型MOS管 ; ”

专利权人对证据2中公开了 DC偏置端子311为MOS管提供DC偏置的问题提出了质疑。专利权人认为，证据2中的MOS管不是同时处于偏置导通状态，因而未公开本专利的MOS晶体管构成偏置导通状态，对此，合议组经审查认为：

“权利要求1 未限定MOS管同时处于偏置导通状态，仅限定了为MOS晶体管提供偏置，MOS晶体管的栅极与漏极接，MOS晶体管构成偏置导通状态，而证据2公开了二极管连接而成的MOS晶体管即 MOS晶体管的栅极与漏极接，DC偏置端子311为MOS管提供DC偏置，相当于公开了为 MOS晶体管提供偏置，MOS晶体管的栅极与漏极接，MOS晶体管构成偏置导通状态。”

但专利权人对证据2图3的电路所公开的内容提出自己的见解，认为“ 证据2图3的电路作为电压倍增器时，DC偏置端子311作为输入端子，证据2未公开将时钟输入端子103、104作为射频信号输入端口。”

对此，合议组回应到：

“证据2的图1A是与图3所示多级连接整流电路类似但较为简化的电荷泵电路，证据2首先介绍了图1A电路用作射频信号检波时的工作原理，其中101是RF输入端子，输入RF信号的半周期A内，电流经由二极管D1流向输入端子101,对电容C21充电，在下一个半周期B内，二极管D1反向偏置，因此不会流过电流，电流从电容C21经由二极管D2流向电容C22，以对其充电。在此基础上，证据2进一步说明了图3所示的多级连接整流电路用作射频信号检波，并且记载了图3整流电路的偏置可以设为1V，即图3的DC偏置端子311需要为 MOS管提供DC偏置，证据2虽未明确记载射频信号在图3所示电路中的输入端口，但是基于证据2对类似电荷泵电路图1A的分析，以及图3的电路能够基于与图1A电路类似的电荷泵工作原理实现射频信号的检波可知，电路结构上与图1A中端子101对应的端子103、104为RF输入端子，即射频输入正负信号通过时钟正负输入端子103、104分别通过电容C连接到MOS晶体管。”

合议组认为，根据权利要求1中的 “所述MOS晶体管M1，M2，…，Mn可以是 N型M0S管或是P型M0S管，也可以分别是N型和P型M0S管； P型MOS管的漏板与地相连时，需要其栅极串接一电阻与漏极相接 ” 这段话，权利要求1包括两个并列技术方案，具体地，在权利要求 1 其他特征限定的基础上，方案一不包括特征“P 型 MOS 管的漏极与地相连时，需要其栅极串接一电阻与漏极相接”，方案二包括特征“P 型 MOS 管的漏极与地相连时，需要其栅极串接一电阻与漏极相接。

根据上述分析，合议组确定了权利要求1的方案一与证据2的区别特征为：（1)本专利的MOS管由电流源11提供偏置;而证据2中公开了DC偏置端子311为MOS管提供DC偏置，但未公开提供DC偏置的具体电路结构；(2)本专利中的所述MOS晶体管M1，M2，.,Mn还可以是P型MOS管，也可以分别是N型和P型MOS管;而证据2中仅公开MOS管可以是N型MOS晶体管。

合议组还确定了权利要求1的方案二与证据2的区别特征为出乱上述两个区别特征外，还包括区别特征（3）：“P型MOS管的漏板与地相连时，需要其栅极串接一电阻与漏极相接”。

基于上述区别特征，合议组认为：

权利要求1的方案一实际解决的技术问题是:如何提供DC偏置;如何选择MOS管类型。

权利要求1的方案二实际解决的技术问题是:如何提供DC偏置;如何选择MOS管类型；如何形成完整电路。

三、评析与讨论

（1）关于国知局第562108号决定的评析

从惯常的无效宣告请求审查决定书的标准体例看，缺少对权利要求解释这一关键一环，特别是只有关于专利性的无效理由时，更是直接跳过而直奔特征对比；第562108号决定也不例外。该决定只是将作为审查基础的权利要求书列上，之后，对证据2公开内容的识别时，可能是拘泥于请求人所使用的部分内容，也未能对证据2的整体发明内容秉持整体观做全面分析。例如，在技术特征的对比环节上，将证据2中挑出 “在图3 所示的电路中，可以替换为二极管连接而成的MOS晶体管” 这句话，认为 “相当于公开了一种CMOS射频信号幅度检测电路” ；但其选择性地忽略了证据1紧跟其后的 “在图3所示的多级连接构成的电路中，当放大微小振幅的信号时，也不得已增多所连接的级数，从而导致输入电容变得非常大。” 证据2还进一步分析了图3的缺点： “即使将MOS晶体管100级连接，在5.8GHz频段的RF输入功率为-60dBm的情况下，得到的DC电压最多也仅为150μV左右。因此，为了获得1V左右的输出，需要在后级具有接近80dB的增益。即，即使在使用图3所示的多级连接电路的情况下，也必须大幅度增加二极管（MOS晶体管）的连接级数，并且即使增加连接级数，后级仍需要很高放大率的放大器。”

这说明，证据2是反对“大幅度增加二极管（MOS晶体管）的连接级数”这种做法的，本领域技术人员在看待证据2时，认为“大幅度增加二极管（MOS晶体管）的连接级数”的做法不可取。

由此可见，第562108号决定中证据2所“公开”的内容识别方面，出现了严重偏差，这也是导致该决定被二审法院撤销的根源所在。既然对于证据2公开内容上发生严重偏差，“三步法”中的区别技术特征和要解决的技术问题的认定，就失去了比对基础而显得毫无意义。

（2）对二审判决的评析

二审判决在确定该案的审理焦点在于涉案专利是否具有创造性时，提出首先要对权利要求1进行“整体”解释，而不是直接陷入第532108号决定的区别技术特征的认定是否正确的俗套中。

二审判决适用的法律依据是《最高人民法院关于审理专利授权确权行政案件适用法律若干问题的规定（一）》第二条第一款的规定： “人民法院应当以所属技术领域的技术人员在阅读权利要求书、说明书及附图后所理解的通常含义，界定权利要求的用语。权利要求的用语在说明书及附图中有明确定义或者说明的，按照其界定。”

根据该规定， “权利要求相关技术术语或者技术特征应当按照本领域技术人员的通常理解作出解释” ，针对第532108号决定关于 “权利要求1未限定MOS管同时处于偏置导通状态，且仅限定了由电流源提供偏置，并未具体限定提供电压偏置还是电流偏置 ” 的说法，二审判决分析后得出：

“权利要求1限定了“MOS晶体管M1、M2，…，Mn串联连接，由电流源提供偏置；晶体管的栅极与漏极接，构成偏置导通状态”，从本领域技术人员的通常理解来看，电流源提供偏置意味着提供电流偏置，由电流源向串联连接的MOS晶体管提供恒定的偏置电流，同一电流依次流过串联连接的MOS晶体管，此时漏源间存在恒定的电流，进而各MOS晶体管产生自适应的栅源电压，又因各MOS晶体管均栅漏短接，因此，在由电流源提供恒定电流的基础上各MOS晶体管会同时处于偏置导通状态。”

但上述分析还不能上升到对权利要求进行“整体”解释的高度，这说明司法解释的“法律供给”明显存在不足。为此，二审判决巧妙地提出：“另外，还应当以本领域技术人员在对专利要求保护的技术方案形成整体认识的基础上，结合权利要求的具体语境，以符合发明目的和能够实现发明技术方案为指引，对权利要求作出合理的解释。”

由此，二审判决树立了整体解释权利要求的裁判思路。二审判决基于整体考量，进一步指出： “从本专利的发明目的来看，根据本专利说明书[0003][0004][0008]段的记载，本专利所要解决的技术问题是克服MOS管的高阈值电压并希望获得更高的幅度检测增益。为克服MOS管的高阈值电压，提高对射频信号的检测的灵敏度，本专利通过让MOS晶体管工作在偏置导通状态以建立静态工作点，从而更好实现基于MOS晶体管对微弱信号进行幅度检测的功能。当接收到射频信号后，为获得更高的幅度检测增益，根据本专利说明书[0007][0018]-[0025]段的记载，强、弱反型偏置导通状态下，漏源间电流变化与栅源间电压变化分别服从平方率及指数特性，本专利利用MOS晶体管处于偏置导通状态下电流变化与电压变化的上述关系，基于电流源保持漏源间电流恒定不变的前提，能够获得与被检测差分射频信号幅度呈平方关系的电压输出增益变化量。在此基础上，根据本专利说明书[0008]段的记载可知，由于上述多个MOS晶体管串联连接，使得每个MOS晶体管的增益检测幅度得以串联相加后输出。

由上可知，由电流源提供偏置，各MOS晶体管始终同时工作在偏置导通状态，才能实现本专利的发明目的，同时本专利说明书[0018]-[0025]段的记载亦可印证电流源提供的物理量为电流。 ”

（3）讨论

二审判决基于发明目的的分析方法，实际上与笔者一贯倡导的整体分析的发明构思法如出一辙。

权利要求1的内容实际上是关于附图2、图3和图4的三个具体方案的总结概括。三个具体方案的总的发明构思是一样的，只是由于MOS管的类型不同或不同类型的搭配使用，而产生三种变形，从整体观解释解释权利要求1，就得出其请求保护的就是这三种具体方案。例如，权利要求1中的“P型MOS管的漏极与地相连时，需要其栅极串接一电阻与漏极相接”，就是指图3的方案；而“MOS晶体管M1，M2，…，Mn也可以分别是N型和P型M0S管”，则指向了图4的方案。从图中可以看出， “所述MOS晶体管M1，M2，…，Mn” 中的每一个MOS晶体管，其栅极均与漏极接，故这些MOS晶体管全部（同时）构成偏置导通状态。当专利权人指出“证据2的MOS管不是同时处于偏置导通状态”时，合议组回应的“权利要求1未限定MOS管同时处于偏置导通状态”，就表明其欠缺对权利要求进行整体解释，由于权利要求1中限定了“MOS晶体管M1、M2，…，Mn串联连接”，后面的“MOS晶体管的栅极与漏极接，构成偏置导通状态”中的 MOS晶体管当然就是指 “M1、M2，…，Mn”中的任何一个。因此就可以得出权利要求1限定了所有MOS管“同时”处于偏置导通状态。这其实也是从语法常识就能得出的结论，而非只是因为文字中没有出现“同时”两字就断然否定。

综上可见，二审判决的亮点是提出了对权利要求进行整体解释的裁判思路，这是对专利授权确权纠纷审理方法的重大贡献。

四、结语

本文认为，“CMOS差分射频信号幅度检测电路”发明专利无效案二审判决给业内带来了如下启示：

第一，即便是专利授权确权纠纷案，权利要求解释仍然是首要的任务，如果按照传统做法，将“权利要求的内容”肢解成各个部分当作“权利要求的解释”，直接适用“三步法”，就会出现严重误判。

第二，对于涉及电路的权利要求，更适合对“权利要求的内容”进行整体解释。无论何种电路，虽然都是采用各种电子元器件搭建，但关键在于其搭建的为解决某种技术问题的整体电路结构，如果将其拆分成各种零部件再各个击破，那么，任何电路都无创造性可言。这充分说明，对于请求保护电路的权利要求，需要从整体观进行解释，把握其发明本质，在 (2023)最高法知民终2903号案中也得到体现，该案确立的裁判规则是： “在电学领域，特别是涉及逻辑电路、芯片控制的专利中，不能孤立地看待某个技术特征，而应基于‌本领域技术人员‌的视角进行整体理解。”

第三，对现有技术所公开的内容进行识别时，也需要整体把握，整体理解，不能断章取义。回到该案中，在权利要求的整体解释之后，需要考察证据2中是否具备与权利要求1中体现的三幅图实质相同的技术方案。即证据2中是否公开了“采用电流源作为静态工作点的预先偏置，多级MOS晶体管串联连接，MOS晶体管的栅极与漏极接，构成偏置导通状态的技术方案”，从证据2公开的内容中可知，其明显反对“多级MOS晶体管串联”的方案，因此，在识别现有技术公开内容时，不能只看局部内容而一叶障目不见泰山。如果证据2根本就没有公开权利要求1的技术方案，只能说明不能作为涉案专利的“最接近的现有技术”。因此，如果强行将其作为朝着涉案专利改进的基础，就失去了“最接近的现有技术”这个逻辑起点，“三步法”就难免失灵。

第四，也是最重要的一点，权利要求解释的“整体观”，需要纳入司法解释中，使裁判标准得到统一，并弥补“法律供给”的不足。

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编辑：Sharon

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